شركت سامسونگ  اولين گونه از چيپستهاي حافظه 50nm DDR2  رو توليد كرد. ظرفيت اين چيپستها 1 گيگابيت هست  و براي ساخت اين چيپها از ترانزيستورهاي  سه بعدي  و از پوشش هاي عايق چند لايه استفاده شده است . سامسونگ اعلام كرده كه اين چيپ هاي جديد 55% درصد بازدهي بالتري نسبت به چيپهاي  60nm  دارند . براي توضيحات بيشتر از  اين لينك استفاده كنيد :

http://www.digitimes.com/print/a20061019PR210.html