کمپانی کره‌‌ای Hynix که از پیشگامان تولیدات حافظه‌های DRAM به شمار می‌رود به تازگی به جمع حامیان تکنولوژی آینده چیپ‌های DRAM با نام Z-RAM پیوسته است. این کمپانی که در سال 2007 پرسرعت ترین تراشه DRAM را با ساختار سه بعدی و فناوری ساخت 60nm ارائه کرده بود این بار در یک حرکت مشابه به منظور ارتقای سطح تکنولوژی DRAM با کمپانی Innovative Silicon) ISi) قرار دادی با ارزشی بیش از 10 میلیون دلار را برای دریافت لیسانس این چیپ حافظه کره‌ای منعقد کرد.

Z-RAM در ابتدا با هدف تولید حافظه‌های بسیار کوچک و ارزان قیمت برای ICهای منطقی مانند چیپ‌های موبایل ، میکرو پروسسورها و دیگر کاربردها برنامه ریزی شده بود اما طبق این قرار داد هدف اصلی Hynix و ISi بر تولید Z-RAM بر پایه DRAM خواهد بود.

Z-RAM تکنولوژی است که بر پایه آن هر سلول حافظه(هر یک بیت) از یک ترانزیستور تشکیل خواهد شد این در حالی است که هم اکنون DRAMهای متداول برای هر سلول از یک ترانزیستور و یک خازن بهره می‌برند که در نتیجه حجم و هزینه بیشتر را به دنبال دارد. یعنی در حقیقت هدف اصلی Z-RAM استفاده از یک المان بجای مجموعه‌ای از جازنها و ترانزیستورها برای هر سلول است.

اگر چه AMD اولین صاحب امتیاز بزرگ تکنولوژی Z-RAM بوده اما Hynix اولین کمپانی است که از Z-RAM به منظور توسعه تکنولوژی DRAM استفاده خواهد کرد البته ادامه این راه با مشارکت هر دو کمپانی Hynix و ISi در کنار هم صورت خواهد گرفت.

سانگ جو هونگ نایب رئیس بخش تحقیقات و توسعه کمپانی Hynix در این باره گفت: Z-RAM تحقق یک برنامه منسجم برای رسیدن به DRAMهای متراکم با فناوری‌های ساخت بسیار کوچک را نوید می‌دهد.

وی همچنین افزود که ما معتقدیم که این قرار داد برای هردو کمپانی یک رویداد بزرگ خواهد بود و مانند DRAM که در سال 2006 به فروش بیش از 33 میلیارد دلار قطعه دست یافت ، Z-RAM نیز به چنین موفقیتی دست خواهد یافت.

همچنین رئیس ارشد کمپانی ISi‌ نیز درباره Z-RAMهای تولیدی این کمپانی گفت:

DRAMهای بدون خازن تولیدی ما که نسل آینده DRAM در دنیا محسوب می‌شود بسیار کوچکتر و ارزانتر از DRAMهای کنونی خواهد بود و قابلیتها و امکانات فوق‌العاده‌ای را در اختیار کاربران قرار خواهد داد.