همانند سلول‌هاي متعارف DRAM داده ذخيره شده در سلول‌هاي Z-RAM نيز پس از مدتي بر اثر نشتي از بين خواهد رفت٬ گفته شده که ترانزيستورهاي Gen2 توان ذخيره‌سازي داده‌ها را تا 8 ثانيه دارند اين زمان نسبت به زمان مشابه معتبر بودن داده‌ها در DRAM حدود 10 برابر افزايش يافته است. لذا Z-RAM نياز به عمليات تازه‌سازي کمتري نسبت به DRAM دارد که خود مي‌تواند در کاهش مصرف توان آن نقش موثري داشته باشد. از اين رو اين حافظه‌ها در موبايل‌ها و کامپيوترهاي همراه بسيار پرکاربرد خواهند شد.

نسخه آزمايش شده Gen2 با فرکانس 400 مگاهرتز کار مي‌کرد٬ چيزي حدود 60 درصد سريع‌تر از مدرن‌ترين حافظه‌هاي DRAM مي‌باشد. اما هنوز با سرعت چند گيگاهرتزي SRAM ها فاصله زيادي دارد و نمي‌توان آنرا جايگزين قطعي حافظه کش سطح يک در پردازنده‌هاي مدرن دانست٬ اما مي‌توان اميد داشت به زودي در حافظه‌هاي کش سطح 2 و 3 پردازنده‌هاي مدرن شرکت AMD که از ويفرهاي SOI بهره مي‌برند٬ اين نوع حافظه‌ها را مشاهده کرد.

ديگر غول توليد کننده پردازنده‌ها؛ اينتل٬ که از همان ابتدا تکنولوژي SOI را نکوهش مي‌کرد و سال‌هاست که پردازنده‌هاي خود را بر روي ويفر‌هاي خالص سيليکوني مي‌سازد٬ در اين بازي تا کنون شکست خورده است و بر طبق آخرين اخبار تيمي را به سرپرستي Michael C. Mayberry جهت بررسي امکان به کارگيري حافظه‌هاي تک ترانزيستوري بر روي ويفرهاي خالص سيليکوني به خدمت گرفته است.

تالارگفتگو : تاپيک بحث و گفتگو پيرامون ابعاد تکنيکي حافظه Z-RAM

منابع:

Samuel K. Moore ,"Winner & Losers 2007", IEEESpectrum January 2007

Tom R. Halfhill , "Z-Ram Shrinks Embedded Memory", Microprocessor Report independent ,October 2005