در تصوير مي‌توانيد اجزاي تشكيل دهنده يك ترانزيستور HK+MG را با يك ترانزيستور متداول CMOS مقايسه كنيد :

ويژگي‌هاي ترانزيستور‌هاي HK+MG در پروسه ساخت 45 نانومتري بسيار زياد است، به گفته اينتل، انتقال پروسه ساخت از 65 نانومتر به 45 نانومتر به لطف به كار گيري ترانزيستور‌هاي HK+MG و كوچكتر شدن طول آنها ،  توان الكتريكي لازم براي سوييچ كردن ترانزيستور 30% كاهش يافته است، چرا كه ترانزيستور كوچك‌تر داراي ظرفيت‌خازني كمتر و در نتيجه نياز به انرژي كمتري جهت تغيير حالت خود دارد.

همچنين اينتل ادعا مي‌كند كه سرعت سوييچينگ ترانزيستور‌هاي 45 نانومتري 20% بيشتر از ترانزيستور‌هاي 65 نانومتري شده، و در سرعت برابر ، جريان نشتي سورس-درين 5 برابر كاهش يافته است، همچنين به لطف بهره گيري از دي‌الكتريك قوي‌تر جريان نشتي گيت نيز 10 برابر كاهش يافته است .

در نتيجه مي‌توان انتظار داشت پردازنده‌هاي مبتني بر پروسه ساخت 45 نانومتري كه در پايان سال جاري عرضه خواهند شد، پردازنده‌هاي كم‌مصرف تر و سريع‌تري نسبت به پيشينيان خود باشند.