در طراحي‌هاي متداول CMOS الكترود گيت ، از مواد پلي‌استر و عايق نيمه‌هادي موسوم به دي‌الكتريك نيز از دي‌اكسيد سيليكون ساخته مي‌شود . اين دي‌الكتريك وظيفه ايزوله كردن جريان كانال از جريان گيت را دارد.

جهت كوچك كردن ترانزيستور انتظار مي‌رود كه تمامي بخش‌هاي آن با هم كوچك شوند اما برخي از آنها، مانند لايه دي‌الكتريك گيت در صورتي كه بيش از اندازه كوچك شوند ، رفتار غير مقتضي از خود بروز مي‌دهند.

 در پروسه‌ساخت‌هاي 90 نانومتري و 65 نانومتري اينتل ، ضخامت لايه دي‌الكتريك گيت به 1.2 نانومتر كاهش يافت اين اندازه تقريبا معادل با 5 اتم است، مزيت نازك شدن لايه دي‌الكتريك اين است كه با بيشتر شدن تاثير ميداني گيت ، مي‌تواند به خوبي جريان كانال را كنترل كرده و جريان نشتي را كم كند.

اما لايه عايق نازك‌تر احتمال تونل‌زدن الكترون‌هاي گيت و ورود آنها به كانال را افزايش خواهد داد ، در اين صورت زماني كه ما انتظار وجود جريان در كانال را نداريم ، الكترون‌هاي گيت با تونل زدن در عايق نازك ميان گيت-كانال، در داخل كانال جريان نشتي ايجاد كرده و توان الكتريكي را هدر مي‌دهند.

شايد اين مقدار توان هدر رفته براي يك ترانزيستور زياد به چشم نيايد اما براي 410 ميليون ترانزيسوتري كه قرار است در هسته Penryn مجتمع‌سازي شوند، توان الكتريكي قابل ملاحظه اي را هدر خواهد داد.

عرض دي‌الكتريک 1.2 نانومتري در فن‌آوري ساخت‌هاي 90 و 65 نانومتري به جريان نشتي گيت زيادي را موجب نمي‌شد كه اينتل را وادار به مقابله با آن كند اما در تكنولوژي 45 نانومتري ، با نازك‌تر شدن لايه دي‌الكتريك اينتل بايد تدبيري براي مرفع كردن اين مشكل مي‌انديشيد تا ضمن كوچك شدن ترانزيستو و لايه‌دي الكتريك آن جريان نشتي گيت افزايش پيدا نكند .

اينتل براي كاهش جريان نشتي گيت ، دي‌الكتريك SiO2 ميان گيت و كانال را كه سالها‌ است در ترانزيستور‌هاي CMOS مورد استفاده قرار مي‌گيرد با يك لايه عايلق ديگر كه مقدار K (ضريب دي‌الكتريك) بيشتري دارد جايگزين كرده است، اين دي‌الكتريك جديد بر پايه عنصر هافنيم (Hf) ساخته شده است.

بهره‌گيري از اين ماده جديد به جاي SiO2 علاوه بر اين كه جريان نشتي گيت را كم‌تر كرده است، هدايت جريان كانال را نيز به لطف داشتن مقدار K بالاتر، بهتر كرده است. اينتل مشخص نكرده است كه ضخامت اين لايه عايق در طراحي جديد چه‌قدر است اما ما مي‌دانيم كه از عايق سيليكوني 1.2 نانومتري به كار گرفته شده در پروسه ساخت‌هاي 90 و 65 نانومتري كوچك‌تر است.