داستان تكنولوژي‌ساخت 45 نانومتري اينتل به ذكر مشخصات پردازنده‌هاي مبتني بر آن ختم نمي‌شود ، آنچه ما را علاقه‌مند به نوشتن اين مقاله كرد پروسه جديد ساخت ترانزيستور‌هاي در اين تكنولوژي بود كه رفتار ترانزيستور‌ها را در آن مقياس كوچك كاراتر و بسيار طبيعي تر مي‌كند .

در مقياس‌هاي نانومتري ، به هيچ وجه نبايد از ترانزيستور ها رفتار طبيعي كه در دروس الكترونيكي تدريس مي‌شود انتظار داشت ، هنگامي كه اندازه ترانزيستور به حدي كوچك مي‌شود كه با 200 اتم سيكيلون ساخته برابري مي‌كند ، رفتار آن به كاملا متفاوت و در برخي موارد خارج از كنترل خواهد شد. (اندازه اتم سيليكون 0.24 نانومتر است) .

ترانزيستور‌ها در كاربرد ديجيتالي‌شان در داخل پردازنده‌ها در نقش يك كليد ظاهر مي‌شوند كه دو وضعيت خاموش يا روشن دارند كه به ترتيب بيان‌گر منطق صفر و يك هستند . زماني كه ترانزيستور روشن است، جريان اندكي را از خود عبور مي‌دهد (در حالت ايده‌آل از پايه سورس به پايه درين) و زماني كه خاموش است اين جريان قطع خواهد شد. فراهم كردن سريع جريان كافي، هنگامي‌ كه ترانزيستور روشن مي‌شود و به حداقل رساندن جريان عبوري در هنگامي كه ترانزيستور قطع است يكي از بزرگترين مشكلاتي است كه در ساخت ترانزيستور‌هاي كوچك و كم‌مصرف وجود دارد.

در شكل زير نمايي از يك ترانزيستور CMOS‌ متداول مشاهده مي‌كنيد اين خانواده از ترانزيستور‌ها به فراواني در تراشه‌ها و ادوات نيمه‌هادي به كار برده مي‌شوند. ولتاژ گيت و سورس در اين ترانزيستورها ، بودن يا نبودن جريان در كانال ترانزيستور را مشخص مي‌كند. 

پروسه‌ساخت 45 نانومتري اينتل در دو بخش الكترود گيت و دي‌الكتريك گيت اين ترانزيستور تغييرات اساسي داده است كه در ادامه به بررسی آن خواهيم پرداخت.